松本 明善				, 	小林 裕希	, 	高橋 健一郎		, 	北口 仁		, 	熊倉 浩明	(NIMS)
		matsumoto.akiyoshi*nims.go.jp		
	
Abstract: 薄膜MgB2においていくつかの高い臨界電流密度特性を有した報告がなされている。我々はパルス・レーザー蒸着法によって作製したプレカーサー膜を種々の温度で後熱処理を行うプリカーサー・アニール法によって、MgB2薄膜の作製を行った。得られた薄膜について臨界電流密度特性を中心にその超伝導特性の評価を行い、4.2K、10Tで10万アンペア/cm2を越す値を得ることができた。