RE123溶融凝固バルクのc-growth領域の捕捉磁場特性
Field Trapping Properties of c-Growth Region in RE123 Melt-Solidified
山崎 裕也
， 石井 悠衣 ， 中島 隆芳 ， 荻野 拓 ， 下山 淳一 ， 堀井 滋 ， 岸尾 光二 （東大）
tt076706*mail.ecc.u-tokyo.ac.jp
Abstract:
従来、RE123溶融凝固バルクのc-growth領域はa-growth 領域に比べ臨界電流特性に優れないとされることが多く、実用バルクは主にa-growth領域から成る。しかし、これまで我々の研究によりc-growth領域は本質的に結晶性に優れ、酸素量を適切に調節することによって、a-growth領域よりも優れた臨界電流特性を示すことがわかってきた。本研究ではRE123溶融凝固バルクのc-growth領域の臨界電流特性および捕捉磁場特性をa-growth領域と比較しながら調べており、その成果を報告する。