MOD法によるMgO基板上STOバッファー層の最適化
Optimization of STO buffer layers on MgO substrates by the MOD method
内山 哲治
（宮城教育大） ； 渡邉 省司 ， 立木 隆 ， 内田 貴司 （防衛大）
tetsu-u*staff.miyakyo-u.ac.jp
Abstract:
高温超伝導体のマイクロ波応用をめざし，誘電率の低いMgO基板上に高温超伝導体と格子整合性のよいSrTiO
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（STO）バッファー層/高温超伝導薄膜という積層構造作製をall-MOD法により行っている．今回は，MOD法でMgO基板上にSTO薄膜を作製する場合に，STO薄膜焼結前のプリカーサ作製条件がSTO焼結膜の結晶半値幅（FWHM）に大きく影響を与えるという知見を得たので報告する．つまり，プリカーサ作製温度条件に最適領域があり，410-475℃の領域でおいてのみ，ロッキングカーブのFWHM（Δω）と面内配向角のFWHM（Δφ）が共に最小値を示した．当日は，XPSによる組成分析とAFMによる表面モホロジー・平均二乗粗さの結果を併せ，最適条件の要因について報告する．