強磁場CVD法によるHoBa2Cu3Oy薄膜の作製と超伝導特性

Preparation and superconducting properties of HoBa2Cu3Oy films by in-field CVD

松尾 浩幸 ， 淡路 智 ， 渡辺 和雄 （東北大）
hmatsuo*imr.tohoku.ac.jp
Abstract:　 YBa2Cu3Oy薄膜に対する磁場効果として結晶配向性および超伝導特性の向上が報告されている。そこで薄膜よりも顕著な磁場効果が生じる可能性があるHoBa2Cu3Oy薄膜を強磁場CVD法により作製した。構造・組織の評価および17Tまでの強磁場中で電気抵抗率と臨界電流密度の磁場印加角度依存性を様々な温度で測定した。これらの結果より磁場中でSrTiO3基板上にHoBa2Cu3Oy薄膜を成膜しても顕著な磁場効果は現れないことが分かった。また磁場無しで作製した試料に対するJcの磁場印加角度依存性の結果より70 K， 5 T近傍においてB//c軸方向から30°ずれたところにブロードなピークが現れた。この異常なピークは新しい相関ピンを有している可能性があることを示唆している。