Al置換したMgB
2
単結晶における層状ピンニングの増大
Enhanement of layer pinning in Al-doped MgB
2
single crystals
野島 勉
， 永野 広志 ， 高橋 一真 （東北大） ； KANG Byeongwon ， LEE Sung-Ik （Pohang理工大）
nojima*imr.tohoku.ac.jp
Abstract:
MgB
2
のグレイン内のピンニング特性に対する元素置換効果を調べるため、MgサイトにAlを12％、21％置換したMgB
2
単結晶における磁気トルクの磁場、角度依存性を測定した。得られたピンニング特性はc軸に近い磁場方向ではそれほど向上しない。しかし磁場がc軸に垂直方向に近づくにつれて急激に増大し、置換しない場合の数十倍のJ
c
を持つようになった。これらの結果はAl置換がMgB
2
層状ピニング現象にのみ効果があることを示す。