電子ビーム蒸着法により作製したMgB2/Ni多層薄膜の磁束ピンニング特性

Flux pinning properties of multilayered MgB2/Ni thin films prepared by EBE method

藤吉 孝則 ， 梶田 龍 ， 米倉 健志 ， 末吉 哲郎 （熊本大） ； 土井 俊哉 （鹿児島大） ； 淡路 智 ， 渡辺 和雄 （東北大） ； 北口 仁 （NIMS）
kajita*st.cs.kumamoto-u.ac.jp
Abstract:　 MgB2薄膜の膜面に対して磁場を平行に印加した場合の臨界電流密度Jcの向上を目的として，EBE法により作製したMgB2/Ni多層薄膜の磁束ピンニング特性の解析を行った．この薄膜のJcの磁場依存性および角度依存性，および電界-電流密度（E-J）特性から磁束ピンニングの特性を評価した．結果として，磁場を平行に印加した場合，ニッケル層の間隔から見積もられるマッチング磁場近傍でのJcの向上が見られた．