有限要素法を用いた第三高調波電圧誘導法における電界解析

Analysis of electric field in third harmonic voltage method by finite element method

吉田 貴昭 ， 小田部 荘司 ， 松下 照男 （九工大）
yoshida*aquarius10.cse.kyutech.ac.jp
Abstract:　 近年、第三高調波電圧誘導法により測定される超電導体内部の第三高調波電界成分が、従来のモデルにより得られる理論値より2桁ほど大きくなることが分かり、これは磁束密度の垂直成分（厚さ方向）による影響だと考えられている。しかし、この電界成分及び磁束密度の値を直接測定することは困難であるため、有限要素法を用いた数値解析によって原因を明らかにした。 その結果、加える交流磁界が閾値を超えたあたりでは、予想通りそれまで存在していなかった磁束密度の垂直成分が超電導体内部に発生することで電界成分は数倍程度の大きさとなったが、さらに交流磁界を大きくすると磁束フローによる影響が顕著となり電界が急激に大きくなる。したがって従来のモデルによる理論値より第三高調波電界成分が著しく大きくなるのは後者の影響であることが分かった。