1A-p04

異なる作製プロセスを用いたBaZrO₃ 添加Sm _1＋xBa_2-xCu₃O_y 薄膜の磁束ピンニング特性

Flux pinning properties in Sm _1＋xBa_2-xCu₃O_y thin film with BaZrO₃ fabricated by various processes

尾崎壽紀 ，吉田隆，一野祐亮，原田崇弘，高井吉明（名大）；松本要（九工大）；一瀬中（電中研）；向田昌志（九大）；堀井滋（東大）；喜多隆介（静岡大）
ozaki_t*nuee.nagoya-u.ac.jp

Abstract:　 c軸相関ピンを導入することによりREBa₂Cu₃O_y （REBCO）膜におけるB//c方向の磁束ピンニング特性が向上することが知られている。その中でもBaZrO₃ （BZO）ナノロッドは非常に有効なc軸相関ピンとして注目されている。これまで我々は、低温成膜（LTG）プロセスを用いてLTG-SmBCO薄膜を作製してきた。その結果、LTG-SmBCO薄膜はナノサイズのlow-T_c相、高密度な転位が磁束ピンニング点として働くことによりB ＝ 5 Tまで実用化線材NbTiと同等のJ_cを示すことを報告してきた。そこで本研究では更なる磁場中J_c向上を目的としてLTG-SmBCO薄膜にBZOナノロッドを導入した。また、通常のPLD-SmBCO薄膜にBZOを導入することにより、LTG-SmBCO＋BZO薄膜との磁束ピンニング特性の違いについても検討を行った。J_cの磁場角度依存性を比較すると、BZOを導入したPLD-SmBCO＋BZO薄膜、LTG-SmBCO＋BZO薄膜ともにB//c方向にJ_cピークが現れた。PLD-SmBCO＋BZO薄膜は低磁場でB//c方向に大きなピークが現れたが、LTG-SmBCO＋BZO薄膜は高磁場まで等方的かつB//c方向におけるJ_cが向上した。当日は、基板温度の変化がBZOの成長に及ぼす影響についても報告する。