RE123、Bi系超伝導体における最適キャリアドープ状態
Carrier Optimally-Doped States in RE123 and Bi-Based Superconductors
下山 淳一
， 浅沼 匠 ， 谷本 亮 ， 荻野 拓 ， 堀井 滋 ， 岸尾 光二 （東大）
shimo*sogo.t.u-tokyo.ac.jp
Abstract:
前回の講演ではBi系超伝導体単結晶の臨界電流特性と不定比金属組成およびキャリアドープ状態の関係を報告し、金属組成比が整数比に近い場合には、最適キャリアドープ状態近傍において最も高い臨界電流密度を示すことを報告した。本研究では、実用的な銅酸化物超伝導体であるRE123とBi系超伝導体の最適キャリアドープ状態実現のための熱処理条件のこれら物質の不定比金属組成との関係を系統的に調べている。講演ではLa123を中心に研究成果を報告する。