希薄REドープによるBi系超伝導体の臨界電流特性の改善

Improved flux pinning properties of Bi-based superconductors by dilute RE doping

滝本 孝太 ， 影島 慶明 ， 谷本 亮 ， 荻野 拓 ， 堀井 滋 ， 下山 淳一 ， 岸尾 光二 （東大）
tt076692*mail.ecc.u-tokyo.ac.jp
Abstract:　 最近、我々はBi2223線材相当のPb置換量を持つBi2212単結晶の臨界電流特性が希薄REドープによって向上することを見出した。特にSrサイトの希薄Ndドープにおいても臨界電流特性の改善が認められたことは、Bi2223相生成の障害となるCaサイトのRE置換を避けた方法でBi（Pb）2223線材を高特性化できることを意味する。そこで今回はBi（Pb）2212単結晶に様々な軽希土類元素の希薄ドープを行い最適なREを探索するとともに、Bi（Pb）2223焼結体に対しても同様な希薄ドープを試みた結果を報告する予定である。