高Ga濃度Cu-Ga化合物を用いたV3Ga超伝導線材の作製
Fabrication of V3Ga compound superconducting wires using high Ga content Cu-Ga compound
菱沼 良光
（NIFS）；菊池 章弘，飯嶋 安男，吉田 勇二，竹内 孝夫（NIMS）；西村 新（NIFS）
hishinuma.yoshimitsu@nifs.ac.jp
Abstract: Nb3Snの高Jc化の手法としてSnの高濃度化は有効である。そこで、V3Gaの高Jc化を目的に高Ga濃度（25at%Ga-40at%Ga）Cu-Ga化合物粉末とV金属との複合化による線材化を試みた。高Ga濃度Cu-Ga化合物粉末はタンマン溶解後粉砕することで作製した。作製した粉末をV金属管に詰めて線材加工を行い単芯丸線材を作製した。臨界温度は700℃以上の熱処理で14K程度が得られている。当日は臨界電流特性及び微細組織について報告する。