MBE法で作製した高J
c
as-grown MgB
2
薄膜の磁束ピンニング特性
Flux pinning properties of as-grown MgB
2
thin films with high J
c
prepared by MBE method
春田 正和
，藤吉 孝則，木原 眞太郎，末吉 哲郎（熊本大）；吉澤 正人，高橋 輝一，入宇田 啓樹（岩手大）；原田 善之（いわて産業振興センター）；淡路 智，渡辺 和雄（東北大）；宮川 隆二（熊本県工技センター）
haruta@st.eecs.kumamoto-u.ac.jp
Abstract: 低温・低速度MBE法によりMgO基板および、Tiバッファーを有するZnO基板上に作製したas-grownのMgB
2
薄膜は非常に高い臨界電流密度を有していた。臨界電流密度の磁場依存性および印加磁場角度依存性の測定より、磁束ピンニング特性の調査を行い、その高い臨界電流密度の起源について考察を行った。