低基板温度成長MgB
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薄膜の臨界電流特性
Critical Current Characteristics of MgB
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Thin Films Groun at Low Substrate Temperatures
後藤 領介
，上灘 真史，市園 泰之，安達 悠一，辰井 江里子，山田 容士，久保 修伍（島根大）
s059113@matsu.shimane-u.ac.jp
Abstract: 300℃以下の低基板温度で種々の基板（エピタキシャル成長基板、プラスチックフィルム基板）上に作製した超伝導MgB2薄膜の臨界電流密度特性について報告する。