NbTi-CICC導体の偏流発生時における安定性およびランプ・レート・リミテーション（1） -サンプル製作と偏流導入実験-
Stability and ramp-rate-limitation of NbTi-CICC conductor with artificial non-uniform current distribution - Sample fabrication and observation of non-uniform current distribution -
妹尾 和威
（NIFS）；BANSAL Gourab（総研大）；柳 長門，辺見 努，高畑 一也，三戸 利行（NIFS）；SARKAR Biswanath，SAXENA Yogesh C.（IPR）
seo@nifs.ac.jp
Abstract: 磁場閉じ込め核融合実験装置ではコストや製作性の観点からNbTi超伝導導体が適用されることが多い。前述の長所の反面、NbTi導体は臨界温度が小さいためにNb3Sn等の化合物系導体に比べて超伝導の安定性が低い。その結果、装置の運転電流は本来の臨界電流よりも十分に低く設定される。我々は、インドSST-1用NbTi導体について、導体を構成する135本の超伝導素線の電流分布をパラメータに安定性およびランプ・レート・リミテーションを評価した。本発表では、サンプルの設計および熱的なスイッチを用いた偏流導入実験について報告する。