NbTi-CICC導体の偏流発生時における安定性およびランプ・レート・リミテーション（2） -安定性実験-
Stability and ramp-rate-limitation of NbTi-CICC conductor with artificial non-uniform current distribution - Stability -
BANSAL Gourab
（総研大）；妹尾 和威，柳 長門，辺見 努，高畑 一也，三戸 利行（NIFS）；SARKAR Biswanath，SAXENA Yogesh C.（IPR）
yanagi@nifs.ac.jp
Abstract: 磁場閉じ込め核融合実験装置ではコストや製作性の観点からNbTi超伝導導体が適用されることが多い。前述の長所の反面、NbTi導体は臨界温度が小さいためにNb3Sn等の化合物系導体に比べて超伝導の安定性が低い。その結果、装置の運転電流は本来の臨界電流よりも十分に低く設定される。我々は、インドSST-1用NbTi導体について、導体を構成する135本の超伝導素線の電流分布をパラメータに、安定性およびランプ・レート・リミテーションを評価した。本発表では、安定性実験について報告する。特に、一様電流の場合と偏流を導入した場合の安定性マージンや制限電流の変化について議論する。また、冷媒の圧力を変えた場合の安定性の変化についても説明する。