ナノオーダーNi層導入によるMgB2薄膜のJc向上
Improvement of Jc in MgB2 thin films by introducing Ni nano-layers
土井 俊哉
（鹿児島大）；北口 仁（NIMS）；福山 寛大，増田 和幸，白樂 善則（鹿児島大）
doi@eee.kagoshima-u.ac.jp
Abstract: 電子ビーム蒸着法により，Ni/MgB2多層膜を作製した。基板温度200℃で，MgB2層を15nm形成した後，Ni層を0.2nm形成した。これを繰り返し，トータル厚さ300nmのNi/MgB2多層膜を作製した。作製した多層膜のTcは25Kであった。この多層膜に，膜面に平行に磁場を印加しながらJcを測定したところ，同条件で作製したMgB2単層膜（Tc＝32K）に比べて6-12T領域でのJcが向上していることが確認できた。また，Fp-B曲線において，作製した多層膜のマッチングフィールドである8Tにブロードなピークが観測された。以上の結果は，MgB2薄膜に挿入したNi層がピンニングセンターとして有効に働いていることを示唆しているものと思われる。