MgB2 バルクの臨界電流密度の Mg / B 依存性
Mg/B Reaction Dependence of Critical Current Densities of Polycrystalline MgB2

中山 資啓，谷口 優，矢作 幸之，川上 隆輝，小林 久恭，八十濱 和彦，久保田 洋二（日大）
yoshiknyoshikn@yahoo.co.jp
Abstract:　 短冊状に成型した B 圧粉体と Mg 塊を共に Ta 管に封入し、短時間の高温熱処理と長時間の低温熱処理の二段熱処理で試料作製を行った。 B 圧粉体に対する Mg 量を変化させ、磁化特性を調べ、Bean モデルにより臨界電流密度を算出した。Mg 量の増加に伴い焼成後の MgB2 バルクの密度及び臨界電流密度が増加した。