高密度MgB
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バルクの高臨界電流特性化
Improved critical current properties of highly dense MgB
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bulks
岩山 功
，山本 明保，桂 ゆかり，下山 淳一，堀井 滋，岸尾 光二（東大）
tt56684@mail.ecc.u-tokyo.ac.jp
Abstract: PICT拡散法は、金属封管内でB粉末の充填部にMgを拡散させてテープ状の高密度MgB
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バルクを作製する手法である。前回の発表では、このPICT拡散法で原料BにMgB
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粉末を混合することによる、クラックのない大型MgB
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バルク作製について報告した。今回は、600℃での低温熱処理によって作製し、さらにボールミルによって微細化したMgB
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粉末を混合することによって、より均一な組織を持つMgB
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バルクの作製に成功し、さらに優れた臨界電流特性を達成したことを報告する。組織と電流パスの観点から臨界電流特性の決定因子も議論したい。