SiCナノ粒子を添加したMgB2超伝導線材のTEMによる微細構造解析
TEM analysis of microstructure in nano-SiC doped MgB2 tapes


吉留 健,SOSIATI Harini,波多 聡,友清 芳二,桑野 範之(九大);松本 明善,北口 仁,熊倉 浩明(NIMS)
yosidot5@asem.kyushu-u.ac.jp
Abstract:  in situ PIT法を用いたMgB2線材の作製過程においてSiCナノ粒子を添加することで臨界電流密度Jcが向上することが知られているが、そのメカニズムは十分に解明されていない。本講演では、集束イオンビーム(FIB)法および透過電子顕微鏡(TEM)を用いた微細構造解析により得たSiCナノ粒子添加効果に関する新たな知見を報告する。