In-situ法MgB
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線材における上部臨界磁界の熱処理依存性
The reaction temperature dependence of H
c2
properties in MgB
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tapes fabricated by In-situ method
松松本 明善
，熊倉 浩明，北口 仁（NIMS）；SENKOWICZ Ben，ZHU Ye，HELLSTROM Eric，VOYLES Paul，LARBALESTIER David（UW-Madison）
matsumoto.akiyoshi@nims.go.jp
Abstract: 我々はPIT法によってMgB
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線材の作製を行ってきた。現在、マグネシウム原料としてMgH
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を用いて、ナノSiC粉末を添加する線材において高い臨界電流密度特性が得られている。MgB
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/Fe線材のおいては上部臨界磁界も２５Ｔを超える値が得られている。しかしながら、この値は鉄シース材を含む特性であり、MgB
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自体を正確に評価していなかった。今回、作製した線材のMgB
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コアを評価した結果について報告する。