MOS-FETの極低温における電気抵抗特性
Electric characteristics of MOS-FETs at cryogenic temperature
渡辺 英司
，菊川 和雅，根本 薫，内山 順仁（JR東海）
e.watanabe@jr-central.co.jp
Abstract: いくつかの市販のMOS-FET素子の極低温における電気抵抗測定を実施し、オン抵抗の温度特性に共通した傾向がみられたので、その結果を報告する。