金属基板上Sm
1＋
x
Ba
2-
x
Cu
3
0
y
薄膜の表面形態と磁場中
J
c
特性
Surface morphology and magnetic field dependence of critical current density in SmBCO film on metal substrate.
三浦 正志
，武藤 正和，尾崎 壽紀，一野 祐亮，吉田 隆，高井 吉明（名大）；松本 要（京大）； 一瀬 中（電中研）；堀井 滋（東大）；向田 昌志（九大）
m_miura@nuee.nagoya-u.ac.jp
Abstract: 我々は、低温成膜（LTG）プロセスを用いて作製したLTG-SmBCO薄膜にピンニング点（PC）としてlow-
T
c
nanoparticlesを導入する試みを報告してきた。その結果、磁場中
J
c
が
B
＝9 TまでNbTi （@4.2 K）と同等の
J
c
＝0.056 MA/cm
2
（@9 T， B//c 77 K）を示すことを報告してきた。本研究では、磁場中
J
c
特性が高いSmBCO薄膜の金属基板上における有効性を検討するためにPLD-CeO2/IBAD-YSZ/金属基板上に通常のPLD-SmBCO薄膜の作製を行った。PLD-SmBCO薄膜は、金属基板上に2軸配向し、MgO基板上同様にスパイラル成長が確認された。また、自己磁場
J
c
は3 MA/cm2を示し、
B
＝5 Tにおいて0.1 MA/cm
2
（B // c， 77 K） と単結晶上のPLD-SmBCO薄膜と変わらず非常に高い
J
c
を示すことが確認された。
J
c
の角度依存性を測定した結果、YBCO薄膜に比べ等方的な
J
c
が確認された。これらの結果よりPLD-SmBCO薄膜は、金属基板上においても有効的な薄膜であると考えられる。