BZOナノロッドを導入したErBCO薄膜の磁束ピンニング特性
Flux pinning properties of ErBCO thin films with BZO nano-rods


藤吉 孝則,春田 正和,末吉 哲郎,出崎 公崇,一期崎 大輔(熊本大);宮川 隆二(熊本県工技センター);向田 昌志(九大);松本 要(京大);吉田 隆(名大);一瀬 中(電中研);堀井 滋(東大)
fuji@eecs.kumamoto-u.ac.jp
Abstract:  REBCO薄膜の磁場中における臨界電流密度向上のために,ナノ組織制御によって薄膜中に,人工的にデザインされた人工ピンの導入を行うことが盛んに行われている.本研究では,BZOナノロッドを導入したErBCO薄膜の臨界電流密度の印加磁場角度依存性や電流ー電圧特性から得られたピンニングパラメータの磁場依存性を調べた.BZOナノロッド人工ピンは,c軸相関ピンとして働き,磁場とのマッチング効果を示した.