BaZrO
3
添加ErBa
2
Cu
3
O
y
膜におけるc軸相関ピンの影響
Effect of c-axis correlated pinning on ErBa
2
Cu
3
O
y
films with BaZrO
3
nanorods
難波 雅史
，淡路 智，渡辺 和雄（東北大）；向田 昌志（九大）；一瀬 中（電中研）；堀井 滋（東大）；吉田 隆（名大）；松本 要（京大）
baji@imr.tohoku.ac.jp
Abstract: Er123にBZOを添加した薄膜ではJcの角度依存性において低磁場を印加した場合にc軸方向にピークが見られる．しかし，高磁場においてはこのピークは見られなくなることが分かっている．この試料について電気抵抗の強磁場中の輸送特性を評価した結果，低磁場側では電気抵抗の角度依存性にディップが見られた．このディップの存在はc軸相関ピンの存在を示すものである．しかし，低温・高磁場ではこのディップはみられなくなった．磁束液体に関連した不可逆磁場や電気抵抗では，マッチング磁場以上の高磁場でもc軸相関ピンの影響が残るのが一般的ではあるが，本試料では低磁場では効いていたc軸相関ピンが高磁場では効かなくなることを示している．そこで，高磁場でc軸相関ピンが効かなくなる原因について，電気抵抗の磁場，温度，磁場の印加角度依存性の結果から総合的に議論する．