人工ピンを導入したYBCO線材の磁場中特性
Investigation of Jc-B property of YBCO film with artificial pinning centers
小林 広佳
，石田 暁，高橋 一弘，小西 昌也，衣斐 顕，宮田 成紀，山田 穣，塩原 融（SRL)；加藤 丈晴，平山 司（JFCC)
h.kobayashi@istec.or.jp
Abstract: 単結晶基板上に人工ピンを有するYBCO薄膜についてそのピンニング特性が多く報告されている。ここでは、PLD/IBAD金属基板上にYSZ混合ターゲットを用いて人工ピンを導入したYBCO線材の磁場中特性について報告する。まず、YSZ混合濃度の異なるターゲットを用いて成膜したYBCO薄膜のIcについて、磁場の増加に伴いそのピークは高濃度側に推移しIc値が低下した。これは断面TEM観察結果からバンブー占有率が増加し、かつ、Tcも低下していることからYBCOマトリックスの減少によるものと考えられる。次に、厚膜化した場合、1.16μm厚の試料において平面TEM観察により径5nmバンブーの分布を確認した。また、65Kにおける磁場中の電流測定を行った結果、77Kに比べて3T磁場中のIcが10倍向上することを確認した。