PLD-CeO
2
/IBAD-GZO金属基板上での人工ピンニングセンター導入GdBa
2
Cu
3
O
7-δ
線材の厚膜化検討
Investigation of thick GdBa
2
Cu
3
O
7-δ
coated conductors with artificial pinning centers on PLD-CeO
2
/IBAD-GZO metal substrates
高橋 一弘
，小西 昌也，衣斐 顕，小林 広佳，石田 暁，福島 弘之，宮田 成紀，山田 穣，塩原 融（SRL）；加藤 丈晴，平山 司（JFCC）
ktakahashi@istec.or.jp
Abstract: 我々はこれまでにPLD-CeO
2
/IBAD-GZOの金属基板上でのPLD-GdBCO線材が高I
c
、高J
c
および磁場中での高特性を示すこと、また、YSZを混合したターゲットで成膜したGdBCO線材が磁場中でさらに高特性を示すことを報告してきた。今回、PLD-CeO
2
/IBAD-GZOの金属基板上で人工ピンとしてGdBCOに5mol%のZrO
2
を混合したターゲットを用いてPLD法により作成した線材において、厚膜化に成功し、磁場中のI
c
値においてGdBCOより優れた線材を得ることができたため報告する。３Tでの臨界電流の磁場角度依存特性では最低値でもI
c
＝ 42.3 A/cm（I
c
＝ 59.5 A/cm， B//c）とGdBCO線材の２倍近い値を得ることができた。