高Ic化を目指したNiW配向基板上の気相法による中間層成膜
Investigation of buffer layers on textured NiW substrates for Ic improvement of coated conductors
中井 昭暢
, 松田 潤子 , 須藤 泰範 , 鬼頭 豊 , 吉積 正晃 , 和泉 輝郎 L , 塩原 融 （SRL）；三村 正直 （古河電工）
a-nakai*istec.or.jp
Abstract:
NiW配向基板を用いたY系線材の高Ic化を志向して、気相法による中間層の成膜を行い、中間層の構造及び成膜条件を最適化することにより、中間層の高配向化を行った。TFA-MOD法により作製された超電導層を有する短尺試料において Ic > 300A/cmを得た。