Gd123線材の磁場中臨界電流特性とピン止め中心導入効果
Jc-B properties of Gd123 coated conductor and the effect of artificial pinning center
筑本 知子
, LEE Sergey , 掛下 照久 , 横山 崇広 , 中尾 公一 （SRL）
chiku*istec.or.jp
Abstract:
金属基板上にPLD法でGd123膜の成膜を行い、その磁場中臨界電流特性評価を行った。Sr等のカチオン置換、あるいはBaZrO
3
、BaSnO
3
等を添加して、ピン止め中心導入を行ったところ、BaZrO
3
、BaSnO
3
においては、著しい磁場中Ic，Hirrの向上がみられた。