配向Niテープ上への導電性ITO中間層の作製
Growth of Biaxially Oriented Conductive ITO buffer

川原 一浩 , 土井 俊哉 , 野崎 秀也 , 白樂 善則 （鹿児島大）；嶋 邦弘 , 星野 博史 （田中貴金属）；鹿島 直ニ , 長屋 重夫 （中部電力）
bt202022*ms.kagoshima-u.ac.jp

Abstract: {100}{001}集合組織を有するNiテープにArイオンビームを照射して表面を清浄化した後、ＰＬＤ法によってCeO2、YSZ及びYBCO層を形成した。得られた、YBCO/YSZ/CeO2/NiテープのコアJcはJｃ ＝ 2MA/cm2であり、Arイオンビーム照射によるNiテープ表面清浄効果を確認した。次にArイオンビーム照射後のNiテープ上に、PLD法によりITO（SnドープIn2O3）を形成し、その上にYBCOを作製した。ITO及びYBCOは良好な2軸配向を示した。また、ITOはYBCOと反応しないことが確認できた。しかしながら、現状ではITO層を通してNiがYBCO層に到達しており、良好な超電導特性は得られていない。