人工ピン導入によるPLD/IBAD金属基板上YBCO膜の磁場中特性（その２）
Investigation of Jc-B property of YBCO film with artificial pinning centers
小林 広佳
, 小西 昌也 , 衣斐 顕 , 宮田 成紀 , 山田 穣 , 塩原 融 （SRL）加藤 丈晴 , 平山 司 （JFCC）
h.kobayashi*istec.or.jp
Abstract:
磁場中の応用が期待されるYBCO膜への人工ピン導入は磁場中の特性向上に有効な手段であるが、実用化レベルを考慮した場合、更なる特性向上および人工ピンのメカニズム解明を図る必要がある。これまでに我々は、YSZ混合ターゲット法によりYBCO膜中にピン止め点として有効なバンブー組織を見い出した。今回は、更にバンブー組織を有するYBCO膜の厚膜特性およびバンブーの分布に関する検討を行ったので報告する。まず、ノーマルYBCO膜とビン入りYBCO膜の 複合膜を製作しその特性を評価した結果、ｃ軸垂直磁場に対する磁場中 特性の向上および角度依存に対する異方性の大幅な改善が確認された。 次に、YSZ混合濃度の異なるターゲットを用いて成膜した YBCO薄膜の磁場中におけるピンニング力は、YSZ混合濃度が 0〜3％の範囲で増加するに従い向上することを確認した。