BZOナノロッドを導入したErBCO薄膜の磁束ピンニング特性（2）
Flux pinning properties of ErBCO thin films with BZO nano-rods （2）

藤吉 孝則 , 春田 正和 , 末吉 哲郎 , 出崎 公崇 （熊本大）；向田 昌志 （九大）；松本 要 （京大）；吉田 隆 （名大）一瀬 中 （電中研）；堀井 滋 （東大）；淡路 智 , 渡辺 和雄 （東北大）
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Abstract: 　REBCO薄膜の磁場中における臨界電流密度向上のために，ナノ組織制御によって薄膜中に，人工的にデザインされた人工ピンの導入を行うことが盛んに行われている．本研究では，BZOの添加量を系統的に変化させ，ナノロッドの密度を制御してErBCO薄膜の臨界電流密度の印加磁場角度依存性や電流ー電圧特性を測定した．電流ー電圧特性から得られたピンニングパラメータの磁場依存性から，BZOナノロッド人工ピンは，c軸相関ピンとして働き，印加磁場とのマッチング効果が起こっていることを示す．