チオフェンを添加したin-situ MgB2線材のTEM観察
TEM observation of in-situ MgB2 tapes doped with Thiophene

杠 直哉 , 吉留 健 , 波多 聰 , 桑野 範之 （九大）；山田 秀之 , 内山 順仁 （JR東海）；松本 明善 , 北口 仁 , 熊倉 浩明 （NIMS）
yuzurin6*asem.kyushu-u.ac.jp

Abstract: in-situ PIT法を用いたMgB2線材の作製過程において芳香族化合物を添加することで、SiCナノ粒子添加に匹敵する臨界電流密度Jcの向上が報告されているが、そのメカニズムは解明されていない。本研究では、集束イオンビーム（FIB）法および透過電子顕微鏡（TEM）によりチオフェン（C4H4S）添加MgB2線材の微細組織解析を行った。無添加材やSiCナノ粒子添加材に比べてMgB2の結晶粒径が大きくなっていた。また、CやSを含む化合物のナノ粒子の顕著な形成は認められなかった。このことからチオフェン添加に伴うJc向上のメカニズムとして、(I) MgB2結晶粒粗大化に伴う超伝導電流経路の増大（低磁界側のJc向上）、(II) CによるMgB2結晶中のBの置換に伴う上部臨界磁場の向上（高磁界側のJc向上）が考えられる。