MgB
2
バルクにおける臨界電流特性の温度依存性
Temperature dependence of critical current characteristices in MgB
2
bulks
木村 健吾
, 木内 勝 , 小田部 荘司 , 松下 照男 （九工大）；山本 明保 , 下山 淳一 , 岸尾 光二 （東大）
kimura*aquarius10.cse.kyutech.ac.jp
Abstract:
MgB
2
は作製過程においてCの添加や低温熱処理により、臨界電流密度J
c
や不可逆磁界B
i
が向上することが報告されている。更なる向上のためにも、熱処理条件や添加物の違いにより臨界電流密度にどのような影響を及ぼすかを調べる必要がある。本研究では、熱処理条件の異なる試料やSiC， B
4
Cをドープした試料の臨界電流密度を広い温度範囲で測定し、磁束クリープ・フロー・モデルによる解析結果と比較することにより臨界電流特性について議論する。