C添加高密度MgB
2
バルクの作製と臨界電流特性
Synthesis of C-doepd dense MgB
2
bulks and their critical current properties
岩山 功
, 山本 明保 , 下山 淳一 , 桂 ゆかり , 堀井 滋 , 岸尾 光二 （東大）
tt56684*mail.ecc.u-tokyo.ac.jp
Abstract:
我々は金属封管内でBとMgB
2
の混合粉末の充填部にMgを拡散させてテープ状のクラックフリー高密度MgB
2
バルクを作製する、Premix-PICT拡散法を開発し、20 K、自己磁場下に置いて1 MA/cm
2
を超える高い
J
c
を達成した。さらに、SiC、B
4
C、芳香族炭化水素などの炭素源の添加により、磁場中での臨界電流特性の顕著な改善に成功したのでこれらを併せて報告し、炭素源に起因した不純物相がconnectivityに与える影響について議論したい。また、Premix-PICT拡散法による新しい長尺線材の作製手法を提案する。