Nb3Al CIC導体のIcの曲歪み依存性
Dependence of strain on Ic in a Nb3Al CIC conductor

安藤 俊就 （NAT）；木津 要 , 土屋 勝彦 , 島田 勝弘 , 松川 誠 , 玉井 広史 , 小泉 徳潔 , 奥野 清 （原子力機構）；西村 新 , 菱沼 良光 , 山田 修一 , 高畑 一也 （NIFS）
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Abstract: Nb3Al CIC導体のIcの曲歪み依存性について実験を行なった結果、約0.6％までIcの低下は見られなかった。この結果を導体内の磁場分布、歪み分布を考慮して解析した結果、曲げ加工の中心軸が導体内の内側に約70％移動すると実験と解析が最も一致する。本内容を報告する。