ナノ積層構造によるMgB2薄膜へのピンニングセンターの導入
Pinnning performance of MgB2 films using alternately layered nanostructure

北口 仁 （NIMS）； 土井 俊哉 , 福山 寛大 , 増田 和幸 （鹿児島大）；吉留 健 , 波多 聰 , 桑野 範之 （九大）；熊倉 浩明 （NIMS）
KITAGUCHI.Hitoshi*nims.go.jp

Abstract: MgB2薄膜では粒界がピンニングセンターとして働くことが知られている。本研究ではMgB2と常伝導金属（Ni或いはB）をnmスケールで交互に堆積したナノ積層を有する膜を作製し、その特性を評価した。例えば、MgB2層（15nm）とNi層（1nm）のMgB2/Ni多層薄膜では、設計に従って平滑なNi層が形成されていることをTEM観察で確認した。MgB2/Ni多層薄膜は、磁場方向が挿入したNi層に平行となるときに大きなJcを示した。これは、ナノ積層構造がピンニング特性向上に有効であることを示している。講演ではピンニング特性の詳細と積層構造との相関を中心に報告する。