RE123の磁場中臨界電流特性に対する希薄ドーピング効果
Effects of dilute doping on critical current properties under magnetic fields for RE123.
東大工
School of Engineering. University of Tokyo
田崎 義昭， 中島 隆芳， 石井 悠衣， 堀井 滋， 下山 淳一， 岸尾 光二
t30617*mail.ecc.u-tokyo.ac.jp
Abstract :
本研究ではRE123単結晶、溶融凝固バルクに対して、様々な金属サイトへの低濃度元素ドーピングを行なうことにより、弱超伝導領域の導入を通じた臨界電流特性の改善を図っている。Y123ではBaサイトへのSr微量ドープやYサイトへのLu微量ドープが磁場下でのJcの向上に有効であることを見出しており、ドープ量やドープするサイトによって第2ピーク磁場や不可逆磁場が変化することがわかってきている。講演ではこれら希薄ドープによる臨界電流特性改善の機構を議論したい。
Keyword(s) :
RE123,単結晶,溶融凝固バルク,臨界電流特性,希薄ドープ,