YBCO薄膜における小傾角粒界のピンニングメカニズム
Pinning mechanism of low angle grain boundary in YBCO thin film
A京大工，B名大工，C九大工，D電中研，E東大工，ACREST-JST
Kyoto university
堀出 朋哉A，F，松本 要A，F，長村 光造A，吉田 隆B，F，向田 昌志C，F，一瀬 中D，F，堀井 滋E，F
tomoya.horide*t04.mbox.media.kyoto-u.ac.jp
Abstract :
YBCO薄膜においては粒界が臨界電流密度に大きな影響を及ぼすと報告されている。しかしそのピンニングメカニズムは完全に理解されているわけではない。PLDにより単結晶STO及びバイクリスタルSTO基板上にYBCOを成膜した。バイクリスタルの傾角は5°とした。この膜のJcの磁場方向依存性を77K、0〜7Tのもとで測定した。またIVカーブも測定した。Jcの角度依存性を測定すると、B//cのときにピークを示した。また観察したIVカーブは直線的な振る舞いを示し、量子化磁束の粒界における粘性運動が確認できた。IVカーブ及びJcの角度依存性を議論し、粒界における量子化磁束の異方的振る舞いを議論する。
Keyword(s) :
YBCO,粒界,ピンニング,臨界電流密度,薄膜,PLD