粒径制御されたGd123薄膜の磁束ピンニング
Flux pinning in grain size controlled Gd123 films
A京大工， B名大工， C九大工， D電中研， E東大工， FCREST
Department of Materials Science and Engineering， Kyoto University
松本 要A， F， 高原 大樹A， F， 二見 俊介A， F， 吉田 隆B， F， 向田 昌志C， F， 一瀬 中D， F， 堀井 滋E， F， 長村 光造A
kaname.matsumoto*materials.mbox.media.kyoto-u.ac.jp
Abstract :
77Kの高磁場中で高いJc特性を有するGd123薄膜の開発を進めている．今回は作製条件に工夫を施して，Gd123薄膜の結晶粒径サイズを変化させる実験を行った．得られた試料の磁場中Jc特性を調べた所，単一磁束ピンニングと集団ピンニングを隔てる磁場B＊が，粒径を小さくすることによって上昇することを示す．また同時に不可逆磁場Birrや磁場中Jc特性も粒径が小さくなるにつれて向上することを報告する．これはGd123中の粒界が量子化磁束の運動の障害物になっている可能性を示している．ピンニングの観点から粒界と量子化磁束との相互作用を考える．
Keyword(s) :
Gd123,粒界,ピンニング,薄膜,,