１次元ピンによるYBCO薄膜のJc制御
Control of Jc in YBCO films using one-dimensional pinning centers
A京大工， B名大工， C九大工， D電中研， E東大工， FCREST
Department of Materials Science and Engineering， Kyoto University
松本 要A， F， Paolo MeleA， F， 堀出朋哉A， F， 吉田 隆B， F， 向田 昌志C， F， 一瀬 中D， F， 堀井 滋E， F， 長村 光造A
kaname.matsumoto*materials.mbox.media.kyoto-u.ac.jp
Abstract :
基板上にナノアイランドを形成してYBCO薄膜のJc制御を進めている．ナノアイランド密度はPLDのパルス数で変化させることができるが，今回はナノアイランド密度と薄膜中に導入される転位密度との関係を調べ，転位とJcとの相関を明らかにすることを目的としている．YBCO薄膜表面をエッチングした後にAFM観察することによって，薄膜中にはナノアイランド密度と同等の密度の転位が導入されることを確認している．転位密度の変化によって磁場中Jcが制御できることを報告する予定である．また厚膜化への試みも紹介する．
Keyword(s) :
YBCO,ピンニング,薄膜,臨界電流密度,磁場特性,