PLD-CeO2/IBAD金属基板上の人工ピンの研究 〜ナノシード法によるJc-B特性向上〜
Investigation of artificial pinning centers on PLD-CeO2/IBAD-GZO metal substrates 〜Enhancement of Jc-B property by nano-dots introduction into coated conductor〜
A超電導工学研究所 名古屋高温超電導線材開発センター，B超電導工学研究所 線材研究開発部，Cファインセラミックスセンター
Superconductivity Research Laboratory-Nagoya Coated Conductor Center
小林広佳A，石田暁A，高橋一弘A，小西昌也A，衣斐顕A，渡部智則A，室賀岳海A，宮田成紀A，山田穣A，塩原融B，加藤丈晴C，平山司C
h.kobayashi*istec.or.jp
Abstract :
単結晶基板上にナノドットを有するY123薄膜についてその分布および磁場中臨界電流などが報告されている。ここでは、IBAD＋PLDセリア基板上にYSZナノドットを導入して作製したYBCO線材およびYSZ混合ターゲットによりYBCO薄膜中にYSZナノドットを導入したYBCO線材のピンニング特性について報告する。まず、前者は、セリア基板上におけるYSZナノドット分布をAFMにより確認し、その数密度はパルス数増加に伴い増加することを確認した。また、いずれの線材も3T以上でナノドットのない線材より磁場中特性が優れていることを確認した。規格化Jcでみた場合、すべての磁場中で人工ピン導入により磁場中におけるＪｃ低減を大幅に抑制できることを確認した。（3Tで1/10）角度依存性については、磁場の印可角度を変化させ膜面と磁場が垂直なところでJcピークを確認した。これは、c軸に沿った欠陥が導入されている結果であると予想される。
Keyword(s) :
Y-123線材,金属基板,ナノドット,人工ピン,臨界電流密度,磁場中特性