MgB2の臨界電流特性におけるB4C及びSiCドープ効果
Effects of B4C， SiC doping on critical current properties of MgB2
東大院工
University of Tokyo
山本 明保， 上田 真也， 下山 淳一， 桂 ゆかり， 岩山 功， 堀井 滋， 岸尾 光二
tt36731*mail.ecc.u-tokyo.ac.jp
Abstract :
我々は化学的反応性や平衡蒸気圧が高いMg量の制御を行うため、Powder-In-Tube法をバルク作製に応用した、金属シース中で原料粉末を反応させるPowder-In-Closed-Tube法（PICT法）により、再現性に優れ高いJcを（Jc>0.4 MA/cm2， Hirr> 7 T at 20 K）持つノンドープMgB2バルクの作製に成功している。一方で、MgB2のJc特性を改善するために不純物ドーピングが広く行われているが、その中でSiCは現在までに最も再現性よく、MgB2のJc特性を改善するドーパントとして知られている。今回は、in-situ法により作製したMgB2バルクについて、SiCのほかにB4Cをドーパントとして選択し、そのドーピング効果について調べた。当日は、B4C， SiCのドーピングがMgB2の臨界電流特性に及ぼす影響について、ドーピングが微細組織に及ぼす影響とあわせて報告し、SiCドープによるMgB2のJc特性改善の起源について議論したい。
Keyword(s) :
MgB2,バルク,Jc,B4C,SiC,ドーピング