電子ビーム蒸着法により作製したMgB2薄膜の磁束ピンニング特性（II）
The flux pinning properties of MgB2 thin films prepared by electron beam evaporation method （2）
A熊大、B鹿児島大、C物材機構、D東北大金研
Kumamoto University
春田正和A、藤吉孝則A、末吉哲郎A、宮原邦幸A、土井俊哉B、北口仁C、淡路智D、渡辺和雄D
haruta*st.eecs.kumamoto-u.ac.jp
Abstract :
電子ビーム蒸着法を用いてas-grownにおいて高い臨界電流密度を有するMgB2薄膜を作製した。MgB2薄膜の成膜時に酸素を導入することにより臨界電流密度を向上することが出来た。臨界電流密度の磁場依存性及び角度依存性の測定より、MgB2薄膜における磁束ピンニングについて調査を行った。
Keyword(s) :
MgB2薄膜,臨界電流密度,磁束ピンニング特性,,,