人工ピンを入れたEr123膜の臨界電流密度と表面抵抗
Critical current density and Surface resistance of Er123 films with artificial pinning centers
向田昌志
（九大）；堀出朋哉（京大）；堀井滋（東大）；齊藤敦（山形大）；一瀬中（電中研）；喜多隆介（静岡大）；松本要（京大）；吉田隆（名大）；山田和広，森信幸（九大）
mukaida*zaiko.kyushu-u.ac.jp
Abstract: 高品質膜化が容易なErBa
2
Cu
3
O
7-d
薄膜に1次元人工ピンであるBaZrO
3
を入れた薄膜と0次元人工ピンであるZnを入れた薄膜の臨界電流密度と表面抵抗を比較した。BaZrO
3
を0.5%， 1.0%， 1.5%入れたターゲットより作製した薄膜では、臨界電流密度は人工ピンニングセンターの導入量により増大したが、表面抵抗は、人工ピンニングセンターの導入量に依らずほぼ同じとなった。また、Znを0.3%， 0.5%， 1.0%， 10%入れたターゲットより作製した薄膜でも、低温でBaZrO
3
を入れた薄膜とほぼ同じ値となった。このことは、表面抵抗を下げるために必要な人工ピンニングセンターは今回導入した人工ピンニングセンター量よりも少なくて良いことを意味している。