ａ軸配向ＮＢＣＯ薄膜を用いた膜厚変化形素子1
Fabrication of the variable thickness bridges in a-axis oriented NdBa2Cu3O7-y thin films.
大河 勇樹
，常盤貴彦，守屋雅隆，水柿義直，宇佐美興一，小林忠行（電通大）
ookawa*w8-7f.ee.uec.ac.jp
Abstract: 膜厚変化形ブリッジ（VTB）は超伝導薄膜に微小な間隙をつけた非常に単純な構造で、人工的な界面を持たない平面形の弱結合素子である。このため、その電気的特性には高温超伝導体特有のd波対状態の性質が現れると考えられる。本研究ではａ軸配向NdBa2Cu3O7-y（NBCO）薄膜をLaSrGaO4（100）（LSGO）基板上に堆積し、結晶軸に対してｃ軸方向からｂ軸方向へ沿った異なる5方向に電流の流れるＶＴＢを作製してその電気的特性を測定した。ＶＴＢ加工前段階としてＶＴＢの電極（バンク部）幅を5umにした。その電極の抵抗−温度特性、電圧−電流特性から、電極の抵抗値、臨界電流密度の違いがみられた。抵抗値はc軸に平行な電極で高く、ｂ軸方向の約5倍であった。他方、臨界電流密度はb軸に平行な電極で高く、ｃ軸方向の約15倍であった。作製したVTB部分のブリッジ長（間隙幅）は80-100nmであり、必要とするブリッジ長に較べ長い。より短いブリッジ長のものを作成する必要がある。