ｃ軸配向YBCO薄膜のSTO基板上における成長形態とJc特性

The growth morphology of c-axis oriented YBCO films on STO(100) and characteristic of Jc

曽根悌輔，亀卦川尚子，千葉孝（一関高専）；鈴木光政，吉澤隆仁（宇都宮大）
vegtech1985*yahoo.co.jp
Abstract:　 DCスパッタ法でSTO基板に作成したYBCO薄膜の表面は、明確なピラミッド状のスパイラル成長を示すが、スパイラル構造の底面の大きさや高さ方向への成長の規則性と膜厚は放電電流に依存する。我々は放電電流の異なる数種類の試試料についてAFMを用いた表面観察を行うと同時に、温度77K， 83K， 85K、印加磁場１〜７Tで電流-電圧特性を測定し、結晶成長の臨界電流密度およびI＝V特性に与える影響について考察した。