人工ピン導入によるPLD/IBAD金属基板上YBCO膜の磁場特性

Investigation of Jc-B property of YBCO film with artificial pinning centers on PLD/IBAD metal substrates

小林 広佳，石田暁，高橋一弘，小西昌也，衣斐顕，宮田成紀，山田穣，塩原融（SRL）；加藤丈晴，平山司（JFCC）
h.kobayashi*istec.or.jp
Abstract:　 単結晶基板上に人工ピンを有するYBCO薄膜についてそのピンニング特性が多く報告されている。ここでは、PLD/IBAD金属基板上にYSZ混合ターゲッ トを用いて人工ピンを導入したYBCO膜の磁場特性について報告する。まず、YSZ混合濃度の異なるターゲットを用いて成膜したYBCO薄膜の磁場中における規格化Jcは、混合濃度が0.1〜2.0％の範囲で増加するに従い向上することを確認した。次に、厚膜化した場合、膜厚の増加に伴いIcが向上する反面、Jcが低下することを確認した。角度依存性については、いずれの膜厚においても印可磁場がc軸と平行なところでピークを有することを確認した。これは、厚膜化においてc軸に沿った欠陥の導入が継続されている結果であると予想される。