TEM組成マッピングによる高Jc-SmBCO膜のピニング機構の解明
Mechanism of the flux pinning in high Jc SmBCO film measured by the elemental mapping using TEM-EDX
吉田 隆
，三浦正志，尾崎壽紀，一野祐亮，高井吉明（名大）；松本要（京大）；向田昌志（九大）；一瀬中（電中研）；堀井滋（東大）
yoshida*nuee.nagoya-u.ac.jp
Abstract: 我々は、REBCO薄膜、特にSmBCO薄膜の磁場中高特性化に関して報告してきた。基板上にシード層を成長させたあとに、SmBCO層を成長すると低温成膜温度において非常に高い特性を有すること、さらにSmリッチな微細析出物をドープすることによりさらに高い特性を示すことを確認し、Jc＝0.37 MA/cm2 （77 K， B//c， B＝5 T） 、Jc＝0.1 MA/cm2 （77 K， B//c， B＝8T）を得てきた。本報告では、これらの各種成膜方法で作製した薄膜を用いてTEM-EDXによる組成分布を評価した。その結果、Sm/Ba組成比の違いによるSmBCOバルク体の超伝導特性で報告されているTcが40K程度と低い組成比0.2以上の領域が15nm サイズに析出し、その密度が 1011 cm-2であることが確認された。