高Jc用BaZrO3分散ピンニングセンタを持つErBa2Cu3O7-δ薄膜の作製
Effect of O
2
annealing for crystallinity of CeO
2
／BaSnO
3
buffer layers
�伊藤正志
A
,山本陽一郎
A
,向田昌志
A,G
,一瀬中
B,G
,荒木猛司
C
,吉田隆
D,G
,松本要
E,G
,堀井滋
F,G
,齋藤敦
A
,大嶋重利
A
山形大工
A
,電力中央研究所
B
,超電導工学研究所
C
,名古屋大工
D
,京都大工
E
,東京大工
F
,科学技術振興機構
G
これまで我々はTFA-MOD法によるYBa
2
Cu
3
O
7-δ
(YBCO)薄膜作製を行う上でCeO
2
とBaSnO
3
を２層バッファ層として用いることを提案してきた。今回CeO
2
とBaSnO
3
の薄膜作製後に、それぞれ酸素中アニールを行い、結晶性が向上したので報告する。
バッファ層,酸素中アニール,BaSnO
3
,CeO
2
,,