電子ビーム蒸着法により作製したMgB2薄膜のピンニング特性
The pinning properties of MgB2 thin films prepared by electron beam evaporation method

A熊大,B鹿児島大,C物材機構
°春田正和A,藤吉孝則A,末吉哲郎A,宮原邦幸A,土井俊哉B,北口仁C
E-mail : haruta*st.eecs.kumamoto-u.ac.jp
Keyword(s) : MgB2薄膜,ピンニング特性,パーコレーション遷移モデル,電流-電圧特性,,
MgB2は金属系超伝導体で最高のTcを持ち、安価な材料費、弱結合の影響が小さいことなどから応用に期待がもたれている。応用においては、磁場中での電磁特性を把握しておくことが必要である。 本研究では、電子ビーム蒸着法で作製したMgB2薄膜の磁場中における電流‐電圧特性及び、臨界電流密度特性の評価を行った。また、パーコレーション遷移モデルを用いてピンニング特性の解析を行った。